MOSFET kênh N IRFB4227 TO-220 65A 200V chân cắm

MOSFET kênh N IRFB4227 TO-220 65A 200V chân cắm là MOSFET công suất N-Channel thuộc dòng StrongIRFET™ của Infineon. Linh kiện có khả năng chịu điện áp Drain–Source lên tới 200V, dòng Drain tối đa 65A tại 25°C và được đóng gói dạng TO-220, phù hợp cho các mạch điện tử công suất sử dụng phương pháp lắp xuyên lỗ.

Đặc điểm nổi bật

• MOSFET công suất kênh N.
• Điện áp VDS tối đa 200V.
• Dòng ID tối đa 65A tại TC = 25°C.
• RDS(on) điển hình 19.7mΩ, tối đa 24mΩ tại VGS = 10V, ID = 46A.
• Total Gate Charge QG điển hình 70nC.
• Gate-to-Drain Charge QGD điển hình 23nC.
• Điện áp ngưỡng VGS(th) từ 3V đến 5V.
• Điện áp Gate–Source tối đa ±30V.
• Công suất tiêu tán tối đa 190W.
• Nhiệt độ mối nối tối đa 175°C.
• Kiểu đóng gói TO-220.
• Kiểu lắp đặt THT – Through Hole Technology.

Thông số kỹ thuật

• Mã linh kiện: IRFB4227
• Part number: IRFB4227PBF
• Loại: Power MOSFET
• Kênh: N-Channel
• VDS max: 200V
• ID max @ 25°C: 65A
• RDS(on) max @ 10V: 24mΩ
• RDS(on) typ.: 19.7mΩ
• VGS(th): 3–5V
• VGS max: ±30V
• QG typ. @ 10V: 70nC
• QGD: 23nC
• Ptot max: 190W
• RthJC max: 0.45K/W
• Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến 175°C
• Package: TO-220
• Kiểu lắp: chân cắm THT.

Ứng dụng

Theo tài liệu của nhà sản xuất, IRFB4227 được tối ưu cho các ứng dụng chuyển mạch công suất như:

• Mạch Sustain.
• Mạch Energy Recovery.
• Mạch Pass Switch.
• Các ứng dụng chuyển mạch công suất yêu cầu điện áp lên đến 200V.
• Các mạch cần MOSFET có điện trở dẫn thấp và khả năng chịu dòng lớn.