IRF9Z24 55V/12A/TO-220 P-CH

Giới Thiệu Mosfet IRF9Z24N

Mosfet là một transistor hiệu ứng trường (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor). Là một transistor đặc biệt có cấu tạo và hoạt động khác với transistor thông thường mà ta đã biết. Đối với dòng điện một chiều thì được coi như là một  khóa đóng mở. Mosfet có nguyên tắc hoạt động dựa trên từ trường để tạo ra dòng điện

Cấu tạo của Mosfet

Mosfet có cấu trúc bán dẫn cho phép điều khiển điện áp với dòng điện cực nhỏ

Cấu tạo của mosfet ngược kênh N

• G: Gate gọi là cực cổng – là cực điều khiển bị cách ly hoàn toàn với cấu trúc bán dẫn còn lại bởi lớp điện môi cực mỏng nhưng độ cách điện vô cùng lớn SiO₂
• S: Source gọi là cực nguồn
• D: Drain gọi là cực máng – là cực đón các hạt mang điện

Mosfet có điện trở giữa cực G với cực S và giữa cực G với cực D là vô cùng lớn, còn điện trở giữa cực S với cực D ( Rds ) phụ thuộc vào điện áp chênh lệch giữa cực G và cực S (Ugs)

Khi điện áp Ugs=0 thì điện trở Rds rất lớn, còn khi điện áp Ugs ≥ 0 thì do hiệu ứng từ trường Rds sẽ giảm dần. Điện áp Ugs càng lớn thì điện trở Rds càng nhỏ

Cấu tạo Mosfet loại N và P 1

Thông số kỹ thuật

• U_DSS: -55V
• I_D: -12A
• Nhiệt độ hoạt động: -55ºC~175ºC
• Rds(on): 0.175Ω

Ứng dụng

Tăng điện áp chịu đựng để hoạt động với điện áp cao
Tăng tổng trở đầu vào điều khiển giảm công suất điều khiển
Giảm điện dung ký sinh giữa các cực tiếp giáp
Tăng tốc quá trình đóng ngắt để mạch có hiệu suất cao
Giảm điện trở nội tiết kiệm công suất tổn hao nhiệt lãng phí

Cấu tạo Mosfet loại N 1

Hướng dẫn sử dụng và lưu ý

Mosfet có chân tương đương với transistor

• Chân G tương đương với B
• Chân D tương đương với C
• Chân S tương đương với E

Khi sử dụng cần chú ý thứ tự các chân

Các bạn có thể tìm mua thêm nhiều linh kiện điện tử khác với chất lượng đảm bảo cùng với giá thành hợp lý tại Linh kiện điện tử 3M